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寰宇存储行业由三星、SK海力士和好意思光科技主导了十余年，长鑫科技是夙昔十余年来最接近行业头部位置的新进入者。
作家：郑晨烨
封图：图虫创意
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在现时这一轮半导体闹热周期中，长鑫科技集团股份有限公司（下称“长鑫科技”）是国内体量最大的DRAM（动态立时存取存储器）扩产主体之一。
5月17日，长鑫科技更新后的科创板IPO招股书涌现，2026年一季度，该公司完了营收508亿元，完了归母净利润247.6亿元，并预测2026年上半年归母净利润为500亿至570亿元。
动作相比，相似是2026年一季度，SK海力士（000660.KS）营收折合东谈主民币约2700亿元，三星电子（005930.KS）存储芯片业务营收折合东谈主民币约3800亿元。也等于说，长鑫科技508亿元的季度营收，依然非常于SK海力士同期的约五分之一。
从业务结构看，长鑫科技和SK海力士有显豁的相似性，两者齐所以DRAM为中枢的IDM厂商（垂直整合制造商，集芯片联想、晶圆制造、封装测试于一体），区别在于SK海力士约三成营收来自NAND闪存（非易失性存储芯片），长鑫科技当今则是一家纯正的DRAM公司。
或者说，在某种程度上，长鑫科技正在成为中国的“海力士”。
寰宇存储行业由三星、SK海力士和好意思光科技（MU.NASDAQ）主导了十余年，长鑫科技是夙昔十余年来最接近行业头部位置的新进入者。
一块DRAM芯片的制作历程非常复杂，从硅片到制品，要经过刻蚀、薄膜千里积、化学机械抛光、清洗、检测等数百谈工序，每沿途工序对应一类专用开荒和一批特定材料。
从招股书信息看，长鑫科技巧完成从DDR4（第四代双倍数据速率内存）到DDR5（第五代）的全面家具切换，并把毛利率从两年前的-112%拉到40%以上，营收体量快速放大，前提是其背后的供应链大略同步赞成。
在半导体开荒行业使命多年的工程师蒋彬告诉经济不雅察报记者，夙昔国产开荒最缺的是在量产产线上考证的契机，而长鑫科技和长江存储的大边界扩产，正在给国产开荒厂商提供这个契机。
工序背后的开荒商
制造一块DRAM芯片，主要历程不错简化为：在硅片上反复千里积薄膜、用光刻界说电路图案、用刻蚀去除过剩部分、用化学机械抛光（CMP）把名义磨平，再进行离子注入、清洗、检测。
系数这个词过程触及数百谈工序，每沿途齐需要专用开荒。
一位永恒存眷半导体开荒的投资东谈主告诉经济不雅察报记者，在DRAM产线的开荒成本开支中，刻蚀和薄膜千里积开荒悉数约占50%，是份额最大的两类；其次是光刻开荒，再次是量测检测开荒（对芯片上的薄膜厚度、线宽、劣势等进行精密测量和查验的开荒），其中量测检测约占开荒总开支的12%至15%。这些开荒夙昔永恒依赖入口。
尽管应用材料（Applied Materials）、泛林集团（Lam Research）、东京电子（TEL）等好意思日厂商仍然占据了寰宇半导体开荒商场的主要份额，但在夙昔的几年里，国产开荒在国内存储产线上的浸透率正在快速普及。
一位接近长鑫科技的产业链东谈主士告诉经济不雅察报记者，长鑫科技当今的国产开荒全体占比约莫在四成到五成之间。左证公开信息，长江存储科技有限牵涉公司（下称“长江存储”）的情况也不错动作参照：其武汉三期工场中，国产开荒的采购占比已过半，刻蚀、薄膜千里积、清洗、检测等中枢工序的国产化率更是跳跃了60%。
该名产业链东谈主士暗示，这么的国产化率在行业里算非常高的，国内多数晶圆厂的国产开荒占比要低于这个水平。
但长鑫科技和长江存储的国产开荒占比，在各个坐蓐轨范的分散并不均匀。前述投资东谈主告诉记者，CMP和清洗开荒的国产化率依然相比高，刻蚀和薄膜千里积开荒也正处在快速浸透阶段，但量测检测、涂胶显影等轨范的国产化率仍然偏低，普及空间也最大。
在各种开荒中，刻蚀开荒的用量和金额占比齐相比大。刻蚀的使命旨趣是用等离子体或化学气体在芯片上“雕镂”出电路需要的沟槽和线条。沟槽刻得越深、越窄，时期难度越高，业内用“深宽比”来预见这项办法——深宽比越大，意味着开荒的精度和限度才能越强。
朔方华创（002371.SZ）是当今国内隐蔽品类最全的半导体开荒公司之一，家具线横跨刻蚀、薄膜千里积、热处理、湿法清洗、离子注入等多个轨范。其财报数据涌现，2025年，朔方华创的刻蚀开荒和薄膜千里积开荒收入均跳跃百亿元；同庚，朔方华创的立式炉和PVD开荒（PVD即物理气相千里积，用于在芯片上镀上金属薄膜）托福数目双双松懈1000台。
在5月15日的功绩阐发会上，朔方华创董事长赵晋荣在回复投资者对于国产化率的发问时暗示，国内各地新建晶圆产线全体开荒国产化率抓续抬升，逻辑芯片（CPU、GPU等处理器）、存储芯片、功率半导体（用于电力调度和贬责的芯片）、特色工艺等各种产线的国产化均在加快导入。
中微公司（688012.SH）是国内另一家主要的刻蚀开荒厂商。左证该公司2026年一季报，其自主开发的超精粹宽比刻蚀机已有300多台响应器（刻蚀开荒中试验践诺刻蚀工艺的中枢单元）在存储产线完了量产，下一代90：1超精粹宽比低温刻蚀开荒也已送至客户端考证，第二代ICP（电感耦合等离子体）刻蚀开荒在3D DRAM应用中赢得了140：1的刻蚀结果。
90：1和140：1是什么意见？记者在采访中了解到，在一派硅片上刻出一条沟槽，沟槽的宽度不到头发丝的万分之一，而深度是宽度的90倍以致140倍。这对开荒的精度和巩固性条目极高——刻得不够深，电路结构不齐备；刻偏了哪怕几纳米，整片晶圆就可能报废。
DRAM芯片每升级一代，电容器的结构就要往更深处作念，对刻蚀开荒的深宽比条目也随之提高。前述投资东谈主告诉记者，能作念到140：1的深宽比，意味着开荒依然大略赞成最新一代DRAM的制造需求。
除了刻蚀开荒，薄膜千里积开荒的国产化率增速也相比快。
薄膜千里积开荒崇拜在硅片上一层层“助长”出功能性薄膜。在DRAM制造过程中，电容器是存储数据的中枢结构，电容器中的两层要道薄膜，电极材料层和高介电常数介质层，需要用原子层千里积（ALD）开荒来制备。
ALD的特色所以单个原子的厚度为单元逐层千里积，精度极高。
拓荆科技（688072.SH）是国内主要的薄膜千里积开荒厂商。财报涌现，2026年一季度，该公司完了营收11.12亿元，同比增长57%，完了归母净利润5.71亿元，同比扭亏为盈。2025年全年，该公司的PECVD（等离子体增强化学气相千里积，一种在芯片上千里积介质薄膜的工艺）开荒收入51.42亿元，同比增长75%；ALD开荒收入3.01亿元，同比增长192%。法例2025年底，拓荆科技累计出货跳跃3400个响应腔，进入约100条芯片坐蓐线。
公开信息涌现，2025年9月，国度大基金三期将其成立以来的首个产业投资技俩落在了拓荆科技的子公司拓荆键科，后者专注于先进键合开荒的研发。
在刻蚀和薄膜千里积除外，化学机械抛光（CMP）和测试相似是DRAM制造中不可短缺的轨范。其中，CMP的作用是在每一层电路完成后，把晶圆名义磨到纳米级的平整度，淌若名义不够平，后续的光刻和千里积工序就无法精确进行。
左证华海清科（688120.SH）公告，2026年4月，该公司第1000台CMP装备出机。华海清科在2025年度功绩阐发会上暗示，公司CMP装备已世俗应用于逻辑芯片、3D NAND、DRAM等主流工艺平台，在国内12英寸先进坐蓐线的隐蔽率和商场占有率抓续普及，占据国产CMP装备销售90%以上份额。
测试轨范的变化也值得存眷。测试是芯片出厂前的临了沿途关卡，每一颗DRAM芯片齐要在测试机上完成一遍齐备的功能考证，分歧格的径直淘汰，测试机的速率决定了它能不成在芯片的试验使命频率下完成信号的收发和比对。
当今DDR5内存的数据传输速率已达到每秒数十亿比特的级别，测试机的速率必须匹配以致跳跃这个水平，不然无法准确检出劣势。
2026年1月，精智达（688627.SH）签下13.11亿元的半导体测试开荒协议，隐蔽DRAM和HBM（高带宽内存）全历程测试。精智达自主研发的高速FT（制品功能测试）测试机速率达到每秒90亿比特，跳跃了日本爱德万（Advantest，寰宇最大的半导体测试开荒厂商之一）主力机型每秒80亿比特的水平。
左证精智达年报，2025年，该公司半导体测试开荒收入同比增长跳跃150%，已取代涌现检测成为公司第一伟业务。
前述投资东谈主告诉记者，长鑫科技2026年二季度已开启新一轮开荒招投标，全年筹画扩产约5万至6万片晶圆，对应的开荒采购需求或在350亿至430亿元东谈主民币。此外，长鑫科技在招股书中流露的IPO募投技俩中，开荒购置及装配费悉数220.66亿元；另有公开信息涌现，长江存储2号厂房的工艺开荒采购及装配技俩也已于5月启动招标。
脚下，两家国内存储龙头同步进入了开荒采购的密集期，对国产半导体开荒厂商来说，好日子可能才刚刚启动。
从先行者体到抛光液
开荒是一次性参加，进入产线后不错运行多年，但材料不同，每一派芯片晶圆在制造过程中齐要抓续浮滥化学品、气体、光阻剂、靶材等各种原料，开云2026世界杯中国官网产能越大，浮滥越多。
一位永恒存眷存储产业链的券商分析师告诉经济不雅察报记者，围绕存储扩产的投资传导，时时是开荒先行，材料随后，产能建起来之后，耗材的用量普及相配显豁。
长鑫科技在招股书中齐备流露了其原材料的采购情况：2025年，原材料采购总和约114.7亿元。按品类拆分：化学品（用于清洗和湿法工艺）占比最大，为37.29%；光阻剂（光刻工序中界说电路图案的感光材料）占12.16%；硅片（芯片制造的基底材料）占8.55%；电子特气（刻蚀和千里积工序使用的高纯气体）占5.10%；靶材（物理气相千里积工序使用的高纯金属材料）占2.21%。
在这些材料中，先行者体是DRAM产线用量最大的特种化学品之一。先行者体是薄膜千里积工序使用的化学原料，在ALD和CVD（化学气相千里积）开荒中，先行者体被加热领悟后在芯片名义生成所需的薄膜。DRAM芯片中电容器的制造宽绰依赖先行者体，并且工艺每升级一代，薄膜的层数和种类齐会加多，先行者体的用量随之高潮。
雅克科技（002409.SZ）是国内半导体先行者体材料边界边界最大的公司之一，其家具隐蔽高介电常数材料（一种用于制造电容器绝缘层的颠倒介质，介电常数越高，电容器在更小的面积上能存储的电荷就越多）、硅基材料和金属材料等多个品类。
2025年全年，雅克科技营收86.11亿元，同比增长25.49%。左证雅克科技公开流露的信息，其江苏工场的先行者体国产化技俩当今已有家具通过客户端考证，正在转入批量试坐蓐。
CMP（化学机械抛光）是芯片制造中完了晶圆名义平整化的要道工序。每作念完一层电路，晶圆名义就会变得陡立不屈，CMP的旨趣是用一块旋转的抛光垫配合抛光液，同期哄骗化学腐蚀和机械研磨两种作用，把名义磨到纳米级的平整度。淌若晶圆名义不够平，下一层电路的光刻就对不准，整片晶圆的良率齐会受影响。芯片有几许层电路，CMP就要作念几许次，抛光液是这谈工序中最主要的浮滥品。
安集科技（688019.SH）是国内CMP抛光液的龙头企业，2026年一季度，安集科技营收7.24亿元，同比增长32.76%，创下单季度新高。左证安集科技在一季报中的表述，其多款钨抛光液已在存储芯片先进制程通过考证，并抓续上量。
晶圆制造还需要宽绰高纯度的特种气体。比如刻蚀工序要用到六氟化钨、三氟化氮等含氟气体，薄膜千里积要用到硅烷、氨气等响应气体，清洗工序则需要高纯氮气和氩气。这些气体的纯度条目极高，时时在99.999%（业内称“5个9”）以上，任何微量杂质齐可能导致芯片劣势。
由于用量大且纯度条目淡漠，晶圆厂时时不会外购瓶装气体，而是由专科供应商径直在厂区内树立制气站，速即坐蓐、管谈运送。
电子特气按供应神气不错分为两类。一类是瓶装特种气体，如高纯六氟化钨、三氟化氮、硅烷等，由气体公司在工场聚会坐蓐后以钢瓶或槽车时势配送到晶圆厂，国内的主要供应商包括华特气体（688268.SH）、金宏气体（688106.SH）等。
另一类是现场制气，即由气体供应商径直在晶圆厂厂区内树立制气站，速即坐蓐氮气、氩气等大批气体并通过管谈运送到各个工序，现场制气边界永恒由林德（Linde）、法液空（Air Liquide）和空气化工（Air Products）三家国际公司主导，连年来广钢气体、正帆科技（688596.SH）等国内企业启动进入头部晶圆厂的供应体系。
不外，前述投资东谈主也告诉记者，当今能在12英寸先进存储产线上提供现场制气做事的国内企业仍然很少，这个边界的国产化率在系数材料品类中是相比低的。
尽管各品类的国产化程度不同，但国产供应商的导入依然在产生试验效力。长鑫科技在招股书中流露了主要原材料的采购单价变化，以2023年为基准，到2025年，硅片的采购单价下跌约30%，靶材下跌约22%，备件下跌接近47%，化学品下跌约26%，确凿系数品类的采购成本齐在走低。
长鑫科技在招股书中将“加大国产供应商导入力度”列为降本增效的方法之一。其背后逻辑也很简便：长鑫科技的产能越大，对上游材料的采购量就越大；材料厂商的出货边界扩大后，单元成本随之下跌，报价也不错随着降。
对长鑫科技来说，导入国产供应商不错同期改善两件事——供应链安全和采购成本。
国产开荒“钱景”掀开
在采访过程中，多位业内东谈主士向经济不雅察报记者抒发了兼并个不雅点：国产半导体开荒和材料公司夙昔靠近的最大禁绝，除了时期累积和资金参加，最要道的是短缺在产线上考证的契机。
深圳一家存储芯片企业的商场崇拜东谈主周勇辉就告诉记者，这个“一根筋两端堵”的问题卡了行业许多年——国产开荒拿不到大客户的订单，就莫得弥散的收入赞成抓续的研发参加；莫得抓续的研发参加，家具质能就追不上国际厂商；家具质能追不上，就更拿不到订单。
举例，一台新的刻蚀机或薄膜千里积开荒，从进入晶圆厂到通过全部工艺考证，时时需要一到两年。在这个过程中，开荒厂商要派工程师常驻客户产线，左证试验工况反复疗养参数，直到开荒在客户的工艺环境中巩固运行，才算完成考证。
一位在半导体开荒行业使命多年的工程师蒋彬告诉经济不雅察报记者，在国产存储大厂起来之前，国内大多数晶圆厂更倾向于采购国际依然过考证的锻练开荒。原因很简便，一台未经充分考证的开荒上了产线，一朝出问题，影响的是整条产线的良率和托福，莫得哪家晶圆厂自得为此承担风险。
或者说，国产开荒缺的不是时期后劲，而是自得给它考证契机的大客户。
长鑫科技正在填补这个空白。长鑫科技在招股书中有如下一段明确表述：“公司边界化坐蓐需求为开荒、材料等上游企业提供了遑急的时期考证和买卖化应用契机，股东上游供应链构建愈加锻练的商场供给才能。”
前述接近长鑫科技的产业链东谈主士告诉经济不雅察报记者，许多国产半导体开荒和材料厂商这几年大略有相比快地成长，和长鑫科技、长江存储抓续提供产线考证契机有径直联系，这两家公司的产线试验上充任了国产开荒从“能用”到“好用”的中枢考证平台。
这种考证一朝完成，后续的放量就会很快。前述投资东谈主讲明了其中的原因：存储芯片的制造和逻辑芯片不同。逻辑芯片厂需要为不同客户的不同芯片别离调试工艺，开荒的适配使命相比复杂；存储芯片则使用轨范化的制造平台，兼并代平台上坐蓐的系数家具，使用的是兼并套开荒树立和工艺参数，一朝国产开荒在某一代平台完成考证和导入，后续的产能推广等于按兼并套决议复制，开荒的放量速率相配快。
开云体育中国官网入口该投资东谈主还告诉记者，长鑫科技全部产线的国产开荒空洞占比诚然依然到了四五成，但这个数字包含了此前几代平台上连接导入的开荒。单看当今量产的第四代工艺平台，国产开荒的参与比例可能还不到20%。不外，长鑫科技正在开发的新一代平台，国产开荒和材料厂商的参与度大幅普及，国产化比例有望跳跃40%。
从不到20%到跳跃40%，这个变化的含义是，长鑫科技接下来每新增1万片晶圆的月产能，国产开荒厂商能拿到的订单份额，约莫是夙昔的两倍。
那么，长鑫科技还需要新增几许产能？左证长鑫科技在招股书中的流露，法例2025年底，该公司月产能约28万至29万片12英寸晶圆。上述投资东谈主据此估算，按照中国大陆的DRAM消费量，长鑫科技的月产能至少需要推广到80万片，才能隐蔽国内需求的非常一部分。
从29万片到80万片，中间约有50万片的缺口。按照行业旧例，每新增1万片月产能约莫需要70多亿元东谈主民币的开荒投资。
长鑫科技在招股书的75亿元量产线升级矫正技俩中亦强调：“同步实施原土及新式开荒、材料、零部件等的导入及协作，促进产业链、供应链原土化、多元化。”
左证商场盘考机构Omdia的数据，寰宇DRAM商场边界预测将从2025年的1505亿好意思元增长至2030年的5710亿好意思元，年均复合增长率跳跃30%。该机构数据还涌现，长鑫科技2026年一季度的寰宇DRAM份额已达9.7%，而2025年二季度这个数字还独一3.97%。
长鑫科技在招股书中称，“充分进展产业链链主引颈作用，股东供应链原土化、多元化”。在其IPO拟募资的295亿元中，220亿元用于开荒采购。
也等于说，淌若新一代工艺平台的国产化率真的跳跃40%，那么仅长鑫科技这一笔IPO募投，就将为国产开荒公司带来近百亿元的订单。另外，淌若月产能从29万片推广到80万片，对应的开荒投资额可能高达数千亿元。
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